進入下(xià)半年，各大(dà)DRAM廠已陸續洽談第三季合約價格，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，受惠于買方急欲增加庫存水(shuǐ)位以及第三季傳統旺季需求來(lái)臨，即便供給位元成長(cháng)逐季增加，平均銷售單價仍可(kě)望小幅上揚。

DRAMeXchange資深研究協理(lǐ)吳雅婷指出，回顧第二季，各供貨商陸續轉進1X或1Y納米制程，雖然陸續傳出有良率不甚穩定或量産品出現質量疑慮的(de)狀況，但相較第一季，供貨位元季成長(cháng)仍有3.2%。然而，就買方而言，由于庫存尚未達到安全水(shuǐ)位，因此仍有相對(duì)穩健的(de)拉貨動能，帶動DRAM整體均價呈現微幅季成長(cháng)。

展望第三季，由于1X或1Y納米的(de)比重将持續增加，DRAMeXchange預估，第三季供貨位元成長(cháng)可(kě)望達4.8%，但在旺季需求的(de)支撐下(xià)，DRAM價格仍會持續小幅上揚，帶動第三季DRAM總産值續創新高(gāo)。

高(gāo)端手機與數據中心支撐主流需求；圖顯内存購(gòu)買動能驟減

從産品類别來(lái)看，第三季DRAM價格漲幅主要由服務器内存與行動式内存帶動。服務器内存的(de)需求較第二季穩健提升，因此出貨至一線廠的(de)主流服務器模組價格仍有1-2%的(de)上漲空間。但由于供貨率(fulfillment rate)至今年年初起一路提升，因此價格上漲有限，且第三季服務器内存在一線廠與二線廠的(de)報價區(qū)間不會有太大(dà)的(de)差異。

以行動式内存而言，價格的(de)漲幅主要由Android高(gāo)端手機在高(gāo)容量LPDDR4采用(yòng)量提升所支撐。近期推出的(de)高(gāo)端手機已将DRAM容量提升至6GB甚至是8GB，也(yě)使得(de)LPDDR4系列不論是在分(fēn)離式(Discrete)或者是eMCP的(de)供應皆看緊。預期第三季整體行動式内存價格在高(gāo)端機種的(de)帶動下(xià)有機會出現1-2%的(de)漲幅。

而圖顯内存與利基型内存受到虛拟貨币(cryptocurrency)需求驟減影(yǐng)響，原先預估的(de)漲幅可(kě)能完全消失。尤其圖顯内存經曆上半年的(de)價格飙漲，恐怕導緻價格在下(xià)半年出現下(xià)跌。

下(xià)半年DRAM價格續漲，然漲幅持續收斂

整體而言，雖然10納米級帶來(lái)的(de)位元成長(cháng)不若先前世代明(míng)顯，但随著(zhe)供貨商在今年上半年陸續導入，将持續貢獻未來(lái)數個(gè)季度的(de)位元增長(cháng)。以下(xià)半年來(lái)說，DRAMeXchange認爲，雖然需求在旺季支撐下(xià)可(kě)望維持穩健，但已可(kě)觀察到價格上漲幅度越來(lái)越小，在今年第四季更可(kě)能面臨持平開出的(de)狀況。