作爲SSD主要元件的(de)NAND閃存，我們經常見到的(de)有SLC和(hé)MLC兩種，甚至還(hái)細分(fēn)出eSLC和(hé)eMLC等等，現在我們談一下(xià)他(tā)們之間的(de)區(qū)别。
SLC全稱single-level cell，即單階存儲單元;MLC全稱Multi-level cell，即多(duō)階存儲單元。因NAND閃存是一種電壓元件，因此它以不同的(de)電壓範圍來(lái)代表不同的(de)數據。
SLC就是在NAND閃存的(de)每個(gè)存儲單元裏存儲1bit的(de)數據，存儲的(de)數據代表”0”還(hái)是”1”是由基于Vth電壓阈值來(lái)判定，對(duì)于 NAND閃存的(de)寫入（編程），就是對(duì)其充電，使得(de)它的(de)電壓超過上圖的(de)電壓判定點A，存儲單元就表示0-已編程，如果沒有充電或者電壓阈值低于那個(gè)A點，就表示1-已擦除。
MLC則是每個(gè)存儲單元裏存儲2bit的(de)數據，存儲的(de)數據是”00”，”01”，”10”，”11”也(yě)是基于電壓阈值的(de)判定，當電壓沒到判定點B時(shí)，就代表”11”，當電壓在B和(hé)C之間，則代表“10”，電壓在C和(hé)D之間，則表示”01”，而電壓達到D以上，則表示”00”。由上面的(de)圖片可(kě)以看到，MLC相比SLC電壓之間的(de)阈值被分(fēn)成了(le)4份，這(zhè)樣肯定會直接影(yǐng)響性能和(hé)穩定性，相對(duì)來(lái)說，主要受影(yǐng)響的(de)有以下(xià)四點：
SLC、eSLC、MLC、eMLC存在什(shén)麽差異
1.相鄰的(de)存儲單元間會互相幹擾，造成電壓不穩定而出現bit錯誤，MLC由于阈值相比SLC更接近，所以出錯幾率會更大(dà)。
2.MLC讀寫性能降低，寫入更達到50%的(de)差距以上，因爲需要更精确的(de)充電處理(lǐ)。SLC隻有”0”和(hé)”1”，，而MLC會有“00”，“01“，”10”，”11” 4個(gè)狀态，在充電後還(hái)要去判斷處于哪個(gè)狀态，速度自然就慢(màn)了(le)。
3.如上所說，因爲有額外的(de)讀寫壓力，所以功耗明(míng)顯增大(dà)。
4.同樣因爲有額外的(de)讀寫壓力，造成閃存的(de)寫入耐久度和(hé)數據保存期都受到影(yǐng)響。
前面說過SLC和(hé)MLC的(de)區(qū)别，那eSLC和(hé)eMLC又是怎麽一回事呢(ne)？
在NAND Flash工廠制造處理(lǐ)過程中，廠商把晶元上最好的(de)那部分(fēn)Flash晶片挑選出來(lái)并用(yòng)企業級的(de)标準來(lái)檢測晶片的(de)數據完整性和(hé)耐久度。檢測完成後，這(zhè)些晶片被取下(xià)來(lái)改變内部參數并進行之後的(de)比标準MLC更苛刻的(de)測試。當這(zhè)些晶片通(tōng)過測試後，就被定義爲eMLC級别組，餘下(xià)的(de)就成爲MLC級别組了(le)。同理(lǐ)eSLC就是從SLC晶元上挑出來(lái)的(de)優質晶片經過内參調整和(hé)企業級标準篩選的(de)産物(wù)。
相對(duì)普通(tōng)MLC來(lái)說，eMLC的(de)不同之處主要體現在下(xià)面4個(gè)方面：
1.标稱P/E數，34nm鎂光(guāng)的(de)eMLC是30，000次，而MLC則是5000次。
2.eMLC擦寫操作和(hé)編程操作所需要的(de)時(shí)間相比MLC更長(cháng)。（通(tōng)過内參調整達到增加P/E的(de)目的(de)）
3.當使用(yòng)完廠商保證的(de)P/E數後，eMLC的(de)數據保存期一般在3個(gè)月(yuè)，而MLC的(de)數據保存期在1年。
4.相對(duì)在的(de)企業級應用(yòng)下(xià)，使用(yòng)eMLC的(de)穩定性比MLC要高(gāo)得(de)多(duō)，也(yě)就是出錯的(de)概率更小
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