據報道，在12月(yuè)1日，十铨科技發表聲明(míng)，計劃推出DDR5-4800模塊到DDR5-5200的(de)ELITE系列産品線。在12月(yuè)9日，有媒體援引業内消息，DDR5-4800模塊到DDR5-5200的(de)ELITE系列産品線。

DDR 5推出還(hái)需時(shí)間

在過去幾年，DRAM一直被業内關注，DDR5标準規格原定是在2018年發布，但被推遲了(le)好幾次，直到2020年7月(yuè)14日才發布。DDR5的(de)重要性能主要在使内存性能提高(gāo)85％以上，從而支持下(xià)一代服務器工作負載。當數據中心系統架構師尋求提供快(kuài)速增長(cháng)的(de)處理(lǐ)器核心數量并增加内存帶寬和(hé)容量時(shí)，DDR5将内存密度提高(gāo)了(le)一倍，同時(shí)提高(gāo)了(le)可(kě)靠性。

在DDR5标準規範發布後， 三星、SK 海力士和(hé)鎂光(guāng)也(yě)是第一時(shí)間發布相關DDR5制程已在路上的(de)消息，預計将在2021年發布。

鎂光(guāng)

在2020年初，鎂光(guāng)對(duì)外宣布将采用(yòng)業内領先的(de)1z納米制程對(duì)DDR5注冊DIMM（RDIMM）進行采樣。在7月(yuè)14日推出DDR5規範後，推出了(le)新技術支持計劃（TEP）。

（來(lái)源：鎂光(guāng)官網）

TEP是一項針對(duì)經過批準的(de)合作夥伴的(de)計劃，它提供進入美(měi)光(guāng)的(de)途徑，以盡早獲得(de)技術信息和(hé)支持。數據表以及行爲/功能模型，信号完整性模型和(hé)熱(rè)模型将随時(shí)可(kě)用(yòng)，以幫助産品開發。

SK 海力士

SK海力士在2020年10月(yuè)6日發布主要針對(duì)“大(dà)數據、AI智能和(hé)機器學習(xí)領域的(de)DDR5。SK海力士的(de)DDR5支持每秒4,800到5,600Mbps的(de)傳輸速率，比上一代DDR4快(kuài)1.8倍。它每秒可(kě)以傳輸9600個(gè)全高(gāo)清電影(yǐng)（每個(gè)5GB），傳輸速率爲5600Mbps。其工作電壓從DDR4的(de)1.2V降低到1.1V，這(zhè)意味著(zhe)其功耗降低了(le)20％。

（來(lái)源：SK 海力士官網）

SK海力士DDR5可(kě)通(tōng)過矽通(tōng)孔（TSV）技術建立高(gāo)達256 GB的(de)容量，其内部糾錯碼（ECC）可(kě)以将應用(yòng)程序的(de)可(kě)靠性将提高(gāo)20倍。

三星

三星在2020年3月(yuè)宣布，有望在2021年利用(yòng)極紫外光(guāng)刻的(de)制造技術開始批量生産DDR5和(hé)LPDDR5存儲器。實際上，三星已經在使用(yòng)具有EUV的(de)DRAM制造工藝，并且已經與選定的(de)合作夥伴一起驗證了(le)DDR4存儲器。

（三星DRAM曆程 來(lái)源：ANANDTECH）

迄今爲止，三星已經生産和(hé)銷售了(le)上百萬個(gè)DDR4 DRAM模塊，這(zhè)些模塊基于使用(yòng)該公司采用(yòng)EUV光(guāng)刻的(de)D1x工藝技術制造的(de)芯片。這(zhè)些模塊已經完成客戶的(de)評價，這(zhè)證明(míng)了(le)三星1日代EUV DRAM技術使建立精細的(de)電路。該公司表示，三星的(de)D1x是一種實驗性EUVL制造工藝，用(yòng)于制造實驗性DDR4 DRAM，盡管以後将不再使用(yòng)。

DDR5技術分(fēn)析

DDR5的(de)最新标準規範的(de)發布爲爲設計人(rén)員(yuán)制造存儲設備創造了(le)新的(de)可(kě)能性，甚至是挑戰。

具體地說，DDR5标準旨在在不降低高(gāo)速傳輸效率的(de)情況下(xià)提高(gāo)縮放性能，這(zhè)是通(tōng)過将突發長(cháng)度從16倍增加到BL16并将存儲體計數從16增加到32實現的(de)。JEDEC将DDR5架構描述爲“革命性的(de)”。它提供了(le)更好的(de)通(tōng)道效率和(hé)更高(gāo)的(de)應用(yòng)程序級性能，這(zhè)将使下(xià)一代計算(suàn)系統得(de)以持續發展。爲了(le)提高(gāo)可(kě)靠性和(hé)效率，DDR5 DIMM在同一模塊上擁有兩個(gè)40位完全獨立的(de)子通(tōng)道。

規格表

功耗：新一代晶體管尺寸的(de)縮小意味著(zhe)兩者的(de)增加，這(zhè)與前幾代DDR一樣。降低0.1V（8.4％）的(de)幅度似乎并不大(dà)，但這(zhè)意味著(zhe)智能手機的(de)電池壽命将顯著(zhe)增加。DDR5芯片不同于前幾代産品，可(kě)由主闆控制電壓，大(dà)大(dà)降低主闆成本。

相容性：DDR5除了(le)引腳會不一樣，基本上DDR4主闆和(hé)DDR5内存不會交叉兼容。

糾錯碼（ECC）：内存錯誤檢查是對(duì)服務器最重要的(de)功能，必須始終保持聯機狀态。DDR5有望比DDR4更好地進行錯誤檢查，并“在芯片上”（即在RAM芯片本身上）轉移對(duì)該功能的(de)完全控制權。從CPU上卸下(xià)負責此功能的(de)内存控制器到RAM本身，将帶來(lái)處理(lǐ)能力的(de)提高(gāo)。

時(shí)速和(hé)時(shí)頻(pín)：尚未獲得(de)有關DDR5内存時(shí)序的(de)任何信息。

容量：DDR5的(de)潛力可(kě)能是DDR4的(de)4倍，了(le)；例如UDIMM内存（即台式機所用(yòng)的(de)内存）每芯片最高(gāo)64GB。當主闆技術可(kě)用(yòng)時(shí)（最早可(kě)能在2022年），有可(kě)能将這(zhè)些芯片堆疊8倍，這(zhè)意味著(zhe)512GB的(de)系統RAM。（數據僅供參考，以實際出樣數據爲主）

明(míng)年不一定看得(de)到DDR5？

DDR 4内存上市已經6年了(le)，從最早期的(de)DDR4 2133内存過渡到DDR4 4000以上，但是DDR5的(de)出現就是新的(de)趨勢了(le)嗎？英特爾的(de)第十二代酷睿處理(lǐ)器，也(yě)就是代号爲Alder Lake的(de)處理(lǐ)器，是加入了(le)對(duì)DDR5内存的(de)支持的(de)。Alder Lake處理(lǐ)器會在明(míng)年下(xià)半年先推出筆記本産品，在明(míng)年可(kě)能就會搭載DDR5，但具體匹配誰家，尚未有消息。

AMD的(de)Zen 3處理(lǐ)器支持DDR4内存，要到下(xià)一代的(de)Zen 4處理(lǐ)器才會支持DDR5内存，但根據AMD财務分(fēn)析師宣布的(de)路線圖，Zen4架構問世要奔著(zhe)2022年了(le)。

ATP電子在3月(yuè)發布了(le)DDR4-3200工業内存，其中提到一句話(huà)——最新的(de)DDR4-3200内存适用(yòng)于未來(lái)的(de)AMD的(de)Milan及Genoa、英特爾的(de)Cooper Lake及Ice Lake處理(lǐ)器。